Пзу схема: Что такое схема планировочной организации земельного участка (ПЗУ)

Содержание

Что такое схема планировочной организации земельного участка (ПЗУ)

Материалы
Застройщику
Что такое схема планировочной организации земельного участка (ПЗУ)

План земельного участка в законодательстве именуется СПОЗУ – схема планировочной организации земельного участка. ПЗУ (СПОЗУ) – документ, который вместе с заявлением о получении разрешения на строительство необходимо предоставить собственнику или арендатору этого участка для того, чтобы начать проектирование и проводить дальнейшие строительные работы. ПЗУ предоставляется в настоящее время вместо генерального плана застройки земельного участка, который требовался ранее (http://ppt.ru/kodeks.phtml?kodeks=5&paper=51).

Выполняется ПЗУ по данным топографической съемки, где указываются расположение границ земельного участка и основные данные по проектируемым и существующим на момент составления плана объекты. Кроме того, на схеме в обязательном порядке обозначаются следующее:

Проектируемые объекты
Существующие капитальные постройки
Подъезды и подходы к объектам
Подземные коммуникации

Проектируемые объекты привязываются к уже существующим на участке с соблюдением расстояний, предусмотренных требованиями санитарных и противопожарных норм. Схема не должна входить в противоречие с общим градостроительным планом участка и прочими регулирующими документами.

На основании положений, определенных в Постановлении правительства РФ № 87 от 16.02.2008 г. (http://base.consultant.ru/cons/cgi/online.cgi?req=doc;base=LAW раздел 2 в ред. от 13.04.2010 г.) СПОЗУ должна включать набор обязательных элементов:

номер ГПЗУ,
площадь участка,
расчет процента застройки,
показатели строения – состав, общая площадь, этажность и высота,
характеристика ограждения участка,
и условные обозначения, использованные при составлении схемы (легенда).

Содержание ПЗУ для ИЖС

План земельного участка для индивидуального жилищного строительства состоит из графической и текстовой частей. В текстовой части отражается следующая информация:

Описание участка, предназначенного для строительства и показатели капитальных объектов;
обоснование санитарных разрывов в привязке к границам земельного участка и существующим и планируемым объектам;
соответствие плана организации участка существующим регламентам или заменяющим их документам об его использовании;
примерный порядок благоустройства.

Графическая часть ПЗУ выполняется в произвольной форме, без учета особых чертежных требований, но в обязательном порядке отображает:

размещение существующих объектов и предполагаемых к строительству объектов с проходами и подъездами;
зоны действия публичных сервитутов, если таковые имеются;
расположение санитарных разрывов и охранных зон;
зоны участка и прилегающей территории, подлежащие благоустройству.

При составлении плана земельного участка в графической части не требуется указывать следующие элементы – ливневые стоки, разрезы строения, схемы фасадов и въезды на участок. Следует учитывать, что при предоставлении ПЗУ могут возникнуть дополнительные требования к нему, зависящие от местных ситуационных обстоятельств. Однако никакие дополнительные требования не могут выходить за рамки, определенные в ч. 5-11, ст. 51 Градостроительного

Назад
Вперёд

Как построить дом

Постоянные запоминающие устройства

Очень часто в различных применениях
требуется хранение информации, которая не
изменяется в процессе эксплуатации
устройства. Это такая информация как
программы в микроконтроллерах, начальные
загрузчики и BIOS в компьютерах, таблицы
коэффициентов цифровых фильтров в
сигнальных процессорах. Практически всегда
эта информация не требуется одновременно,
поэтому простейшие устройства для
запоминания постоянной информации можно
построить на мультиплексорах. Схема такого
постоянного запоминающего устройства
приведена на рисунке 1.

Рисунок 1. Схема постоянного
запоминающего устройства, построенная на
мультиплексоре.

В этой схеме построено постоянное
запоминающее устройство на восемь
одноразрядных ячеек. Запоминание
конкретного бита в одноразрядную ячейку
производится запайкой провода к источнику
питания (запись единицы) или запайкой
провода к корпусу (запись нуля). На
принципиальных схемах такое устройство
обозначается как показано на рисунке 2.

Рисунок 2. Обозначение постоянного запоминающего
устройства на принципиальных схемах.

Для того, чтобы увеличить разрядность
ячейки памяти ПЗУ эти микросхемы можно
соединять параллельно (выходы и записанная
информация естественно остаются
независимыми). Схема параллельного
соединения одноразрядных ПЗУ приведена на
рисунке 3.

Рисунок 3. Схема многоразрядного ПЗУ.

В реальных ПЗУ запись
информации производится при помощи
последней операции производства
микросхемы — металлизации. Металлизация
производится при помощи маски, поэтому
такие ПЗУ получили название масочных ПЗУ.
Еще одно отличие реальных микросхем от
упрощенной модели, приведенной выше — это
использование кроме мультиплексора еще и
демультиплексора. Такое решение позволяет превратить
одномерную запоминающую структуру в
многомерную и, тем самым, существенно
сократить объем схемы дешифратора,
необходимого для работы схемы ПЗУ. Эта
ситуация иллюстрируется следующим
рисунком:

Рисунок 4. Схема масочного постоянного
запоминающего устройства.

Масочные ПЗУ изображаются на
принципиальных схемах как показано на
рисунке 5. Адреса ячеек памяти в этой
микросхеме подаются на выводы A0 … A9.
Микросхема выбирается сигналом CS. При
помощи этого сигнала можно наращивать
объем ПЗУ (пример использования сигнала CS
приведЈн при обсуждении ОЗУ). Чтение микросхемы производится
сигналом RD.

Рисунок 5. Обозначение масочного постоянного
запоминающего устройства на
принципиальных схемах.

Программирование масочного ПЗУ
производится на заводе изготовителе, что
очень неудобно для мелких и средних серий
производства, не говоря уже о стадии
разработки устройства. Естественно, что для
крупносерийного производства масочные ПЗУ
являются самым дешевым видом ПЗУ, и поэтому
широко применяются в настоящее время. Для
мелких и средних серий производства
радиоаппаратуры были
разработаны микросхемы, которые можно
программировать в специальных устройствах
— программаторах. В этих микросхемах
постоянное соединение проводников в
запоминающей матрице заменяется плавкими
перемычками, изготовленными из
поликристаллического кремния. При
производстве микросхемы изготавливаются
все перемычки, что эквивалентно записи во
все ячейки памяти логических единиц. В
процессе программирования на выводы
питания и выходы микросхемы подаЈтся
повышенное питание. При этом, если на выход
микросхемы подаЈтся напряжение питания (логическая
единица), то через перемычку ток протекать
не будет и перемычка останется
неповрежденной. Если же на выход микросхемы
подать низкий уровень напряжения (присоединить
к корпусу), то через перемычку будет
протекать ток, который испарит эту
перемычку и при последующем считывании
информации из этой ячейки будет
считываться логический ноль.

Такие микросхемы называются
программируемыми ПЗУ (ППЗУ) и изображаются на
принципиальных схемах как показано на
рисунке 6. В качестве примера можно назвать
микросхемы 155РЕ3, 556РТ4, 556РТ8 и другие.

Рисунок 6. Обозначение
программируемого постоянного
запоминающего устройства на
принципиальных схемах.

Программируемые ПЗУ оказались очень
удобны при мелкосерийном и среднесерийном
производстве. Однако при разработке
радиоэлектронных устройств часто
приходится менять записываемую в ПЗУ
программу. ППЗУ при этом невозможно
использовать повторно, поэтому раз
записанное ПЗУ при ошибочной или
промежуточной программе приходится
выкидывать, что естественно повышает
стоимость разработки аппаратуры. Для
устранения этого недостатка был разработан
еще один вид ПЗУ, который мог бы стираться и
программироваться заново.

ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием
строится на основе запоминающей матрицы
построенной на ячейках памяти, внутреннее
устройство которой приведено на следующем
рисунке:

Рисунок 7. Запоминающая ячейка ПЗУ с
ультрафиолетовым и электрическим
стиранием.

Ячейка представляет собой МОП транзистор,
в котором затвор выполняется из
поликристаллического кремния. Затем в
процессе изготовления микросхемы этот
затвор окисляется и в результате он будет
окружен оксидом кремния — диэлектриком с
прекрасными изолирующими свойствами. В
описанной ячейке при полностью стертом ПЗУ
заряда в плавающем затворе нет, и поэтому
транзистор ток не проводит. При
программировании микросхемы на второй
затвор, находящийся над плавающим затвором,
подаЈтся высокое напряжение и в плавающий
затвор за счет тунельного эффекта
индуцируются заряды. После снятия
программирующего напряжения на плавающем
затворе индуцированный заряд остаЈтся и,
следовательно, транзистор остаЈтся в
проводящем состоянии. Заряд на плавающем
затворе может храниться десятки лет.

Структурная схема постоянного
запоминающего устройства не отличается от
описанного ранее масочного ПЗУ.
Единственно вместо перемычки используется
описанная выше ячейка. В репрограммируемых
ПЗУ стирание ранее записанной информации
осуществляется ультрафиолетовым излучением.
Для того, чтобы этот свет мог
беспрепятственно проходить к
полупроводниковому кристаллу, в корпус
микросхемы встраивается окошко из
кварцевого стекла.

При облучении микросхемы, изолирующие
свойства оксида кремния теряются и
накопленный заряд из плавающего затвора
стекает в объем полупроводника и
транзистор запоминающей ячейки переходит в
закрытое состояние. Время стирания
микросхемы колеблется в пределах 10 — 30 минут.

Количество циклов записи — стирания
микросхем находится в диапазоне от 10 до 100
раз, после чего микросхема выходит из строя.
Это связано с разрушающим воздействием
ультрафиолетового излучения. В качестве
примера таких микросхем можно назвать
микросхемы 573 серии российского
производства, микросхемы серий 27сXXX
зарубежного производства. В этих
микросхемах чаще всего хранятся программы
BIOS универсальных компьютеров.
Репрограммируемые ПЗУ изображаются на
принципиальных схемах как показано на
рисунке 8.

Рисунок 8. Обозначение репрограммируемого постоянного
запоминающего устройства на
принципиальных схемах.

Так так корпуса с кварцевым окошком очень
дороги, а также малое количество циклов
записи — стирания привели к поиску способов
стирания информации из ППЗУ электрическим
способом. На этом пути встретилось много
трудностей, которые к настоящему времени
практически решены. Сейчас достаточно
широко распространены микросхемы с
электрическим стиранием информации. В
качестве запоминающей ячейки в них
используются такие же ячейки как и в РПЗУ,
но они стираются электрическим потенциалом,
поэтому количество циклов записи — стирания
для этих микросхем достигает 1000000 раз.
Время стирания ячейки памяти в таких микросхемах
уменьшается до 10 мс. Схема управления для таких микросхем получилась
сложная, поэтому наметилось два
направления развития этих микросхем:

ЕСППЗУ
FLASH -ПЗУ

Электрически стираемые ППЗУ дороже и
меньше по объему, но зато позволяют
перезаписывать каждую ячейку памяти
отдельно. В результате эти микросхемы
обладают максимальным количеством циклов
записи — стирания. Область применения
электрически стираемых ПЗУ — хранение
данных, которые не должны стираться при
выключении питания. К таким микросхемам
относятся отечественные микросхемы 573РР3, 558РР
и зарубежные микросхемы серии 28cXX. Электрически стираемые ПЗУ обозначаются на
схемах как показано на рисунке 9.

Рисунок 9. Обозначение электрически
стираемого постоянного
запоминающего устройства на
принципиальных схемах.

В последнее время наметилась тенденция
уменьшения габаритов ЭСППЗУ за счет
уменьшения количества внешних ножек
микросхем. Для этого адрес и данные
передаются в микросхему и из микросхемы
через последовательный порт. При этом
используются два вида последовательных
портов — SPI порт и I2C порт (микросхемы 93сXX и
24cXX серий соответственно). Зарубежной серии
24cXX соответствует отечественная серия
микросхем 558РРX.

FLASH — ПЗУ отличаются от ЭСППЗУ тем, что
стирание производится не каждой ячейки
отдельно, а всей микросхемы в целом или блока запоминающей матрицы этой
микросхемы, как это делалось в
РПЗУ.

Рисунок 10. Обозначение FLASH памяти на
принципиальных схемах.

При обращении к постоянному
запоминающему устройству сначала
необходимо выставить адрес ячейки памяти
на шине адреса, а затем произвести операцию
чтения из микросхемы. Эта временная
диаграмма приведена на рисунке 11.

Рисунок 11. Временная диаграмма чтения
информации из ПЗУ.

На рисунке 11 стрелочками показана
последовательность, в которой должны
формироваться управляющие сигналы. На этом
рисунке RD — это сигнал чтения, A —
сигналы выбора адреса ячейки (так как
отдельные биты в шине адреса могут
принимать разные значения, то показаны пути
перехода как в единичное, так и в нулевое
состояние), D — выходная информация,
считанная из выбранной ячейки ПЗУ.

[Назад] [Содержание] [Вперёд]

Классификация и программирование постоянной памяти (ПЗУ)

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) является основной единицей памяти любой компьютерной системы наряду с оперативной памятью (ОЗУ), но в отличие от ОЗУ, в ПЗУ двоичная информация хранится постоянно. Теперь эта информация, которую нужно сохранить, предоставляется разработчиком и затем сохраняется в ПЗУ. После того, как он сохранен, он остается внутри устройства, даже когда питание выключается и снова включается.

Информация встраивается в ПЗУ в виде битов с помощью процесса, известного как программирование ПЗУ. Здесь программирование используется для обозначения аппаратной процедуры, которая определяет биты, которые будут вставлены в аппаратную конфигурацию устройства. Именно это делает ПЗУ программируемым логическим устройством (PLD).

Программируемое логическое устройство

Программируемое логическое устройство (PLD) представляет собой ИС (интегральную схему) с внутренними логическими вентилями, соединенными электронными цепями, которые ведут себя подобно предохранителям. В исходном состоянии все предохранители целы, но когда мы программируем эти устройства, мы сдуваем определенные предохранители на дорожках, которые необходимо удалить для достижения той или иной конфигурации. И это то, что происходит в ПЗУ, ПЗУ состоит из простых логических вентилей, устроенных таким образом, что они хранят заданные биты.

Как правило, PLD может иметь от сотен до миллионов шлюзов, соединенных между собой сотнями и тысячами внутренних путей. Чтобы показать внутреннюю логическую схему такого устройства, используется специальная символика, как показано ниже:

. входы в логический вентиль, называемый логическим символом массива, где каждая вертикальная линия представляет вход в логический вентиль.

Структура ПЗУ

Блок-схема ПЗУ представлена ниже:

Структура блока

Она состоит из k входных и n выходных строк.
k входных строк используются для получения входного адреса, откуда мы хотим получить доступ к содержимому ПЗУ.
Так как каждая из k входных строк может быть либо 0, либо 1, то есть всего 2 адреса, на которые могут ссылаться эти входные строки, и каждый из этих адресов содержит n-битную информацию, которая выдается на выходе ПЗУ.
Такое ПЗУ определяется как 2 x n ROM.

Внутренняя структура

Состоит из двух основных компонентов – декодера и логических элементов ИЛИ.
Декодер представляет собой комбинационную схему, которая используется для декодирования любой закодированной формы (например, двоичной, двоично-десятичной) в более известную форму (например, десятичную форму).
В ПЗУ ввод декодера будет в двоичной форме, а вывод будет представлять его десятичный эквивалент.
Декодер представлен как l x 2, то есть он имеет l входов и 2 выхода, что означает, что он будет принимать l-битное двоичное число и декодировать его в одно из 2 десятичных чисел.
Все вентили ИЛИ, присутствующие в ПЗУ, будут иметь выходы декодера в качестве входных данных.

Классификация ПЗУ

Маска ПЗУ – В данном типе ПЗУ спецификация ПЗУ (его содержимое и их расположение), принимается изготовителем от заказчика в табличной форме в заданном формате а затем создает соответствующие маски для путей, чтобы получить желаемый результат. Это дорого, так как поставщик взимает с клиента специальную плату за изготовление определенного ПЗУ (рекомендуется, только если требуется большое количество одного и того же ПЗУ).
Использование – Они используются в сетевых операционных системах, серверных операционных системах, для хранения шрифтов для лазерных принтеров, звуковых данных в электронных музыкальных инструментах.
PROM – Расшифровывается как программируемая постоянная память. Сначала она подготавливается как пустая память, а затем программируется для хранения информации. Разница между PROM и Mask ROM заключается в том, что PROM изготавливается как пустая память и программируется после изготовления, тогда как Mask ROM программируется в процессе производства.
Для программирования ППЗУ используется программатор ППЗУ или устройство записи ППЗУ. Процесс программирования PROM называется записью PROM. Также данные, хранящиеся в нем, не могут быть изменены, поэтому его называют одноразовым программируемым устройством.
Использование – Они имеют несколько различных применений, включая сотовые телефоны, игровые приставки, метки RFID, медицинские устройства и другую электронику.
EPROM – Расшифровывается как Erasable Programmable Read-Only Memory. Он преодолевает недостаток PROM, заключающийся в том, что однажды запрограммированный фиксированный шаблон является постоянным и не может быть изменен. Если битовая комбинация была установлена, ППЗУ становится непригодным для использования, если битовая комбинация должна быть изменена.
Эта проблема была решена с помощью СППЗУ, так как, когда СППЗУ помещается под специальный ультрафиолетовый свет на некоторое время, коротковолновое излучение возвращает СППЗУ в исходное состояние, которое затем можно соответствующим образом запрограммировать. Опять же, для стирания содержимого используется программатор PROM или устройство записи PROM.
Использование — До появления EEPROM некоторые микроконтроллеры, такие как некоторые версии Intel 8048, Freescale 68HC11 использовали EPROM для хранения своей программы.
EEPROM – Расшифровывается как электрически стираемая программируемая постоянная память. Это похоже на EPROM, за исключением того, что в этом случае EEPROM возвращается в исходное состояние с помощью электрического сигнала вместо ультрафиолетового света. Таким образом, обеспечивается легкость стирания, так как это можно сделать, даже если память находится в компьютере. Он стирает или записывает по одному байту данных за раз.
Использование – Используется для хранения BIOS компьютерной системы.
Флэш-ПЗУ – Это расширенная версия ЭСППЗУ. Разница между ЭСППЗУ и Флэш-ПЗУ заключается в том, что в ЭСППЗУ в определенный момент времени может быть удален или записан только 1 байт данных, тогда как во флэш-памяти блоки данные (обычно 512 байт) могут быть удалены или записаны в определенное время. Таким образом, Flash ROM намного быстрее, чем EEPROM.
Использование – BIOS многих современных ПК хранится на микросхеме флэш-памяти, называемой флэш-BIOS, и они также используются в модемах.

Программирование постоянной памяти (ПЗУ)

Чтобы понять, как программировать ПЗУ, рассмотрим ПЗУ 4 x 4, что означает, что оно имеет всего 4 адреса, по которым хранится информация, и каждый из эти адреса имеют 4-битную информацию, которая является постоянной и должна быть предоставлена в качестве вывода, когда мы обращаемся к определенному адресу. Для программирования ПЗУ необходимо выполнить следующие шаги:

. Построить таблицу истинности, которая определит содержимое каждого адреса ПЗУ и на основе чего будет запрограммировано конкретное ПЗУ.
Таким образом, таблица истинности для спецификации ПЗУ 4 x 4 описана ниже:
Эта таблица истинности показывает, что в ячейке 00 содержимое, которое нужно сохранить, равно 0011, в ячейке 01 содержимое должно быть 1100, и так далее, так что всякий раз, когда в качестве входных данных указывается конкретный адрес, извлекается содержимое по этому конкретному адресу. Так как с 2 входными битами возможны 4 входные комбинации, и каждая из этих комбинаций содержит 4-битную информацию, поэтому это ПЗУ представляет собой ПЗУ 4 X 4.
Теперь, исходя из общего количества. адресов в ПЗУ и длину их содержимого определяют как декодер, так и номер. ИЛИ ворот, которые будут использоваться.
Как правило, для ПЗУ 2 x n используется декодер k x 2, а общее количество. ворот ИЛИ равно общему количеству. битов, хранящихся в каждой ячейке ПЗУ.
Таким образом, в данном случае для ПЗУ 4 x 4 в качестве декодера следует использовать декодер 2 x 4.
Ниже приведен декодер 2 x 4 –
Таблица истинности для декодера 2 x 4 выглядит следующим образом –
Когда оба входа равны 0, тогда только D равен 1, а остальные равны 0, когда вход равен 01, тогда только D имеет высокий уровень и так далее. (Только помните, что если входная комбинация декодера разрешается в определенное десятичное число d, то на выходе терминал, который находится в позиции d + 1 сверху, будет 1, а остальные будут 0).
Теперь, поскольку мы хотим, чтобы каждый адрес хранил 4 бита в ПЗУ 4 x 4, поэтому будет 4 вентиля ИЛИ, причем каждый из 4 выходов декодера является входом для каждого из 4 вентилей ИЛИ, чей вывод будет выводом ПЗУ, следующим образом –
Знак креста на этом рисунке показывает, что соединение между двумя линиями не повреждено. Теперь, поскольку имеется 4 вентиля ИЛИ и 4 выходных линии декодера, всего 16 пересечений, называемых точками пересечения.
Теперь запрограммируйте пересечение двух линий в соответствии с таблицей истинности, чтобы выходные данные ПЗУ (элементы ИЛИ) соответствовали таблице истинности.
Для программирования коммутации изначально все коммутации остаются нетронутыми, что означает, что это логически эквивалентно замкнутому выключателю, но эти неповрежденные соединения могут быть сожжены подачей высоковольтного импульса на эти предохранители, что отключит две взаимосвязанные линии, и таким образом можно манипулировать выводом ПЗУ.
Итак, чтобы запрограммировать ПЗУ, просто посмотрите таблицу истинности, определяющую ПЗУ, и удалите (если требуется) соединение. Соединения для ПЗУ 4 x 4 в соответствии с таблицей истинности показаны ниже —
Помните, крестик используется для обозначения того, что соединение остается неповрежденным, и если креста нет, это означает, что соединения нет. .
На этом рисунке, поскольку, как видно из таблицы истинности, определяющей ПЗУ, когда на входе 00, то на выходе 0011, поэтому, как мы знаем из таблицы истинности декодера, этот вход 00 дает выход таким образом, что только D равен 1, а остальные равны 0, поэтому, чтобы получить выход 0011 от вентилей ИЛИ, соединения D с первыми двумя вентилями ИЛИ были снесены, чтобы получить выходы как 0, в то время как последние два вентиля ИЛИ дают вывод как 1, что и требуется.
Аналогично, если на входе 01, то на выходе должно быть 1100, а при входе 01 в декодере только D равен 1, а остальные равны 0, поэтому для получения желаемого результата первые два вентиля ИЛИ имеют неповрежденное соединение с D , в то время как у последних двух ворот ИЛИ разрыв соединения. И в остальном тоже такая же процедура.

Итак, вот как запрограммировано ПЗУ, и поскольку выход этих вентилей будет оставаться постоянным каждый раз, так что информация хранится постоянно в ПЗУ и не изменяется даже при включении и выключении. .

Ссылка-

Основы цифровых схем А. Ананд Кумар

Эта статья предоставлена Мригендра Сингх . Если вам нравится GeeksforGeeks и вы хотели бы внести свой вклад, вы также можете написать статью, используя submit.geeksforgeeks.org, или отправить свою статью по адресу [email protected]. Посмотрите, как ваша статья появится на главной странице GeeksforGeeks, и помогите другим гикам.

Пожалуйста, пишите комментарии, если вы обнаружите что-то неправильное, или вы хотите поделиться дополнительной информацией по теме, обсуждаемой выше.

ROM (постоянная память) структура

ROM (постоянная память) структура

На изображении выше показан эскиз
интерактивный Java-апплет, встроенный в эту страницу.
К сожалению, ваш браузер не поддерживает Java.
или Java отключен в настройках браузера.
Чтобы запустить апплет, включите Java
и перезагрузите эту страницу.
(Возможно, вам придется перезапустить браузер.)

Описание цепи
Этот апплет демонстрирует внутреннюю структуру
постоянная память или ПЗУ .
Используется довольно небольшой объем памяти 16 слов по 8 бит каждое.
Слева направо схема состоит из трех ступеней.
Первый этап, обычно называемый адресом-дешифратором в схемах памяти,
стандартный демультиплексор.
Для каждого шаблона ввода двоичного адреса ровно один из
словесных строк (горизонтальных) активируется адресным дешифратором.
В примере требуется демультиплексор от 4 до 16.
для управления 16 строками слов, соответствующими 16 адресам памяти.

9Матрица памяти 0173 является основной частью ПЗУ.
Для каждой словесной строки выполняется соединение с этими битовыми строками (вертикальными).
который должен быть активирован для соответствующего слова памяти.
В биполярной технологии можно использовать простые диоды.
соединения словесных строк с битовыми строками.
Однако обычно транзисторы используются для усиления сигнала Wordline.

В МОП-технологиях предпочтительны транзисторы N-типа,
потому что они быстрее, чем транзисторы P-типа того же размера.
Затвор транзистора подключен к словесной линии, сток к битовой линии,
и источник транзистора к Vss (земля).
Это приводит к структуре проводного И, показанной в апплете.
Подтягивающие резисторы на каждой битовой линии приводят битовую линию к
слабое высокое напряжение (логический Н), когда нет активных транзисторов.
Если транзистор используется при соединении словесной и битовой линий,
транзистор будет проводить всякий раз, когда словесная линия активна,
перевод битовой линии на низкое напряжение (логический 0).

Поскольку в матрице памяти используются транзисторы N-типа,
активная битовая линия приводится к нулевому напряжению,
в то время как неактивная битовая линия остается на (слабом) высоком уровне.

Posted inПоршень